IGBT是一种继MOSFET之后集成度更高的功率半导体器件，也是当今高压大功率开关电路和变换电源中使用的主力晶体管之一。
它的全称为Insulated Gate Bipolar Transistor，直译为隔离栅双极晶体管，因此常被称为绝缘栅双极晶体管。
IGBT相较于其他功率晶体管，具有开关速率快，集成度高，输入电阻低，集电极饱和电压低等优点。同时，IGBT与MOSFET相比，由于其承载能力强，具有耐高压、耐大电流的优点，被普遍应用于大功率开关电路中。
IGBT在工业中应用十分普遍，好比作为电机驱动器的主要器件之一，在交流调速器、图像装备、音视频装备、家用电器中也有普遍的应用，它能够满足大功率装备对电流波形的要求，顺应多种事情情形。
总之，IGBT功率集成度高、可靠性好、速率快、应用普遍，使得它成为当今大功率开关电路和变换电源中的主力晶体管，将在未来的工业领域中施展越来越重要的作用。
